25小时在线 158-8973同步7035 可微可电所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,nand发生的次数要比nor多),一个比特位会发生反转或被反转了。
一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是有问题,多读几次就可能解决了。
当然,如果这个位真的改变了,就 采用错误探测/错误更正(edc/ecc)算法。位反转的问题 见于nand闪存,nand的供应商建议使用nand闪存的时候,同时使用edc/ecc算法。
这个问题对于用nand存储多媒体时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他时, 使用edc/ecc系统以性。
坏块处理
nand器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,不划算。
nand器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。
软件支持
当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高的用于磁盘和闪存管理算法的软件,包括性能化。
在nor器件上运行代码不需要的软件支持,在nand器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(mtd),nand和nor器件在进行写入和擦除操作时都需要mtd。
使用nor器件时所需要的mtd要相对少一些,许多厂商都提供用于nor器件的更软件,这其中包括m-system的trueffs驱动,该驱动被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等厂商所采用。
根据产业链的消息，台积电也在研发3nm工艺，的是新工艺仍将采用finfet立体晶体管技术，号称与5nm工艺相比，晶体管密度将提高70 ，性能可提升11 ，或者功耗降低27 。从纸面参数来看，三星这一次似乎有望实现反超。不过三星还没有公布3nm工艺的订单情况，台积电则基本确认，客户会包括苹果、amd、nvidia、联发科、赛灵思、博通、高通等，貌似intel也有意寻求台积电的工艺代工。台积电预计将在2nm芯片上应用gaafet技术，要等待三年左右才能面世。回收飞利浦网卡芯片回收ST意法进口新年份芯片回收亚德诺MOS管场效应管回收ti德州仪器电池充电管理芯片回收LINEAR芯片回收silergy汽车电脑板芯片回收凌特手机存储芯片回收NIKO-SEM尼克森电池充电管理芯片回收kingbri进口新年份芯片回收WINBOND华邦WIFI芯片回收TOSHIBA汽车电脑板芯片回收丽晶微传感器芯片回收韦克威开关电源IC 回收罗姆声卡芯片回收英飞凌传感器芯片回收idt音频IC 回收艾瓦特电源管理IC 回收丽晶微BGA芯片回收Vincotech电源管理IC 回收艾瓦特封装TO-220三极管回收飞利浦声卡芯片回收maxim传感器芯片回收亚德诺蓝牙芯片回收威世MOS管场效应管回收亚德诺发动机管理芯片回收瑞昱封装QFP144芯片回收ATMLE进口新年份芯片回收HOLTEK合泰BGA芯片回收NIKO-SEM尼克森全新整盘芯片回收VISHAY声卡芯片回收SAMSUNG收音IC 回收瑞昱封装TO-220三极管回收idesyn收音IC 回收GENESIS起源微稳压管理IC 回收Vincotech稳压管理IC 回收飞思卡尔MOS管回收idt电池充电管理芯片回收kerost进口新年份芯片回收GENESIS起源微MCU电源IC 回收kerost升压IC 回收toshiba封装sot23-5封装芯片回收GENESIS起源微WIFI芯片回收飞思卡尔MCU电源IC 回收silergy芯片回收艾瓦特信号放大器回收arvin微控制器芯片