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东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是nvm，其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术，并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ，它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现，它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，性较 nor 闪存要差。

 

高功率应用兴起带来的挑战们 满足工业动力驱动或电动汽车不断增长的功率需求。伺服电动机或洗衣机中的工业电机驱动器已经开始普及。处理功率超过3千瓦的通用逆变器（gpi）越来越普遍。而且，电动汽车开始采用高压电池（从400伏到800伏，甚至更高），从而为hvac使用新的功率拓扑打通了基础。 传统上，会利用一个智能功率模块，该模块主要将igbt和二 管与下桥和上桥栅 驱动器结合在一起。这样的集成器件简化了pcb布局，占用了更少的空间，提高了性，提高了效率，并缩短了上市时间。然而，当今市场上几乎没有针对在新型高压电池上运行的ipm产品。同样，只有少数ipm应用于中高功率工业平台。因此，例如用于hvac或伺服电动机的压缩机的ipm将是复杂且昂贵的。 回收芯成封装sot23-5封装芯片回收HOLTEK合泰WIFI芯片回收矽力杰稳压管理IC 回收尚途sunto网口IC芯片回收鑫华微创芯片回收CJ长电信号放大器回收SAMSUNG封装QFP144芯片回收韦克威WIFI芯片回收VincotechSOP封装IC 回收infineon蓝牙芯片回收silergy开关电源IC 回收iwatte/dialogADAS处理器芯片回收iwatte/dialog收音IC 回收威世蓝牙芯片回收丽晶微隔离恒温电源IC 回收intel逻辑IC 回收凌特集成电路芯片回收鑫华微创电池充电管理芯片回收松下进口IC 回收INFINEON路由器交换器芯片回收toshibaMOS管回收Xilinx驱动IC 回收美满进口IC 回收intelWIFI芯片回收toshiba声卡芯片回收海旭发动机管理芯片回收INTERSIL进口芯片回收intelADAS处理器芯片回收VISHAYSOP封装IC 回收ncs路由器交换器芯片回收Marvell音频IC 回收idesyn封装QFP芯片回收亿盟微封装SOP20芯片回收toshibaWIFI芯片