25小时在线 158-8973同步7035 可微可电苹果自研5g基带一方面或许能够解决信号问题，另一方面或许是为了今后能够在a系列处理器上直接集成基带芯片。 iphone由于一直采用基带的方式，这致iphone的发热和功耗问题比较。如果今后能够采用集成式基带的方案，或许可以提升用户体验。抛开用户体验不谈，从苹果公司战略层面上来讲，自研5g基带可以让苹果在零部件供应上不再受制于人。  2019年，苹果公司ceo库克曾回应苹果收购英特尔基带业务一事，称苹果的目的就是为了“控制”。  对于苹果而言，将零部件供应都掌控在自己手里，是一直以来坚持不懈的方向。  除了处理器和基带芯片以外，苹果目前还与台湾厂商合作开发micro led面板，并且将来还会有自己的生产线。  至于其他非零部件，苹果也希望采用多个供应商共同供货的模式。 一方面是为了自家产品能够稳定出货，另一方面，则是为了提高自己的议价能力，扩大利润。随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  STM32F756VGT6 STM32F765IIT6 STM32F765NIH7 STM32F778AIY6TR STM32L011D4P6 STM32L011E4Y6TR STM32L011F3P6TR STM32L011G4U6 STM32L011K4U6 STM32L031F6P6TR STM32L052C8T7 STM32L0538-DISCO STM32L073VBT6 STM32L100C6U6 STM32L100R8T6 STM32L100RCT6 STM32L151C6T6TR LM393PT LMV822IDT MC33078DT LF253DT LMV358IDT LM2903PT