25小时在线 158-8973同步7035 可微可电电子元器件ti、at、长电芯片识别真假的方法后，本期再迎来美信芯片的识别方法，以max485esa+t为例，可以从以下几点辨别真假：
原装盒子字体打印清晰，中间手指的指甲线条较细，非原装手指图案中间的线条稍粗；
标签上美信的logo，“m”字下方三角形较立体，并且字母后面小字母标注类似tta，非原装logo “m”字下方类似三角形，字母后面的小字母类似tm；
原装胶盘上每个小孔内字体较暗，效果不会明显，非原装较强；
原装带子保护膜呈乳白色，保护膜与芯片不会压的紧，非原装完呈透明状态；
芯片上丝印字体大小均匀清晰，定位孔大小 一致，管脚无打磨，非原装打磨可能会较明显。
ddr4较以往不同的是改采vddq的终端电阻设计，v- 目前计划中的传输速率进展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133传输速率快了50 ，将来不排除直达4，266mbps；bank数也大幅增加到16个（x4/x8）或8个（x16/32），这使得采x8设计的单一ddr4存储器模组，容量就可达到16gb容量。  而ddr4运作电压仅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v还低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低，再加上ddr4一次支援 省电技术（deep power down），进入休眠模式时无须更新存储器，或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒，减少35 ~50 的待机功耗。  TCAN1042HVDR TLE7230R STM32G070CBT6 R5S72643P144FP#UZ WM8772SEDS/RV AK4113VF SM5907AF UPD7225GB-3B7 UPD9281 UPD16316 TDF8541TH/N2 MC74ACT244DTR2G MCP121T-450E/TT MCP1416T-E/OT MCP14E5-E/SN MCP1665T-E/MRA MCP1711T-22I/OT MCP3208-BI/SL MCP3208T-BI/SL SSM3J331R SSM3J334R SSM3K15AFS,LF(T SSM3K324R,LF(T