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中芯发布公告称，公司就购买用于生产晶圆的阿斯麦产品与阿斯麦集团签订购买单，根据阿斯麦购买单购买的阿斯麦产品定价，阿斯麦购买单的总代价为 1201590 美元。这部分主要为 duv 光刻机。
今日，据财联社，透露，中芯正在努力重新获得订单，是其 14nm finfet 工艺订单。(it之家注：finfet 工艺是指鳍式场效应晶体管工艺，该工艺可大幅电路控制并减少漏电流，还可以大幅晶体管的栅长。)it之家了解到，3 月 10 日，据选股宝，从供应链获悉，中芯 14nm 制程工艺产品良率已追平台积电同等工艺，水准达约 90 -95 。目前，中芯各制程产能满载，部分成熟工艺订单已排至 2022 年。
据中芯介绍，中芯是的集成电路晶圆代工企业之一，也是内地技术，配套完善，规模大，跨国经营的集成电路制造企业。
中芯在上海建有一座 300mm 晶圆厂，一座 200mm 晶圆厂和一座实际控股的 300mm 设备制程晶圆合资厂;在北京建有一座 300mm 晶圆厂和一座控股的 300mm 晶圆厂;在天津和深圳各建有一座 200mm 晶圆厂;在江阴有一座控股的 300mm 合资厂。

 

在一些非挥发性存储器如相变存储器（phase-change memory；pcm）、磁阻存储器（ resistive memory；m-ram）、电阻存储器（resistive memory；rram）等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，ddr4将可能是末代的ddr存储器，届时电脑与软体结构将会出现 为剧烈的变动。  nand flash逼近制程物理以提升容量密度  以浮闸式（floating gate）半导体电路所设计的nand flash非挥发性存储器，随着flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。  L78M05CDT-TR LF33ABDT-TR SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR LSM6DS3TR STLM20DD9F LM317D2T-TR STL8N6F7 ESDA6V1SC6 M24LR04E-RMN6T/2 LF120CDT-TR M24LR04E-RDW6T/2 ST1S32PUR VN7016AJTR STM6510SCACDG6F LM135 MUN5211T1G M24C02-FDW6TP TS3431ILT FDV303 STX616-AP ESDA14V2L ULN2003D1013TR ST25DV04K-IER6T3 LM393PT HSP061-2M6 STM809TWX6F STM809SWX6F STPS140A LD2981ABM50TR LF347DT LMV822IDT STD7NM80 SM6T200A MC33078DT LM335DT LF253DT