ASE60N10-ASEMI中低压MOS管ASE60N10
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ASE60N10-ASEMI中低压MOS管ASE60N10
型号：ASE60N10
品牌：ASEMI
封装：TO-263
漏源电流：60A
漏源击穿电压：100V
RDS（ON）Max：17Ω
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~175℃
备受欢迎的ASE60N10 MOS管
ASEMI品牌ASE60N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE60N10的漏源电流60A，漏源击穿电压100V.
•细节体现差距
ASE60N10,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
ASE60N10具体参数为：漏源电流：60A，漏源击穿电压：100V，反向恢复时间： ns，封装：TO-263
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