ASE12N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE60N10

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ASE12N65SE-ASEMI高压N沟道MOSASE60N10

型号:ASE12N65SE

品牌:ASEMI

封装:ITO-220AB

大漏源电流:100A

漏源击穿电压:650V

RDSONMax0.68Ω

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:5ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:高压MOS管、N沟道MOS

工作结温-55℃~150℃

ASE12N65SE场效应管

ASE12N65SE的电性参数:大漏源电流12A;漏源击穿电压650V

特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=650V,Id=12A

RDS(开):0.68Ω (大值)@VG=10V

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