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东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。  TCAN1042HVDR TLE7230R STM32G070CBT6 R5S72643P144FP#UZ WM8772SEDS/RV AK4113VF SM5907AF UPD7225GB-3B7 UPD9281 UPD16316 TDF8541TH/N2 MC74ACT244DTR2G MCP121T-450E/TT MCP1416T-E/OT MCP14E5-E/SN MCP1665T-E/MRA MCP1711T-22I/OT MCP3208-BI/SL MCP3208T-BI/SL SSM3J331R SSM3J334R SSM3K15AFS,LF(T SSM3K324R,LF(T