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micron自家市场统计预测指出，从2012到2016年总体nand flash容量应用的年复合成长率可达51 。2013年，美光（micron）与sk hynix两家晶圆厂，先后发表16nm制程的nand flash存储器技术，而东芝（toshiba）则在2014年直接跨入15nm制程，并推出相关nand flash存储器芯片产品。  nand flash传输速率，从2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0规格，传输速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0传输速率为2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0传输速率倍增为5.8gbps；预估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800mb/s、1.6gb/s。  回收飞利浦网卡芯片回收ST意法进口新年份芯片回收亚德诺MOS管场效应管回收ti德州仪器电池充电管理芯片回收LINEAR芯片回收silergy汽车电脑板芯片回收凌特手机存储芯片回收NIKO-SEM尼克森电池充电管理芯片回收kingbri进口新年份芯片回收WINBOND华邦WIFI芯片回收TOSHIBA汽车电脑板芯片回收丽晶微传感器芯片回收韦克威开关电源IC 回收罗姆声卡芯片回收英飞凌传感器芯片回收idt音频IC 回收艾瓦特电源管理IC 回收丽晶微BGA芯片回收Vincotech电源管理IC 回收艾瓦特封装TO-220三极管回收飞利浦声卡芯片回收maxim传感器芯片回收亚德诺蓝牙芯片回收威世MOS管场效应管回收亚德诺发动机管理芯片回收瑞昱封装QFP144芯片回收ATMLE进口新年份芯片回收HOLTEK合泰BGA芯片回收NIKO-SEM尼克森全新整盘芯片回收VISHAY声卡芯片回收SAMSUNG收音IC 回收瑞昱封装TO-220三极管回收idesyn收音IC 回收GENESIS起源微稳压管理IC 回收Vincotech稳压管理IC 回收飞思卡尔MOS管回收idt电池充电管理芯片回收kerost进口新年份芯片回收GENESIS起源微MCU电源IC 回收kerost升压IC 回收toshiba封装sot23-5封装芯片回收GENESIS起源微WIFI芯片回收飞思卡尔MCU电源IC 回收silergy芯片回收艾瓦特信号放大器回收arvin微控制器芯片