25小时在线 158-8973同步7035 可微可电 ,当前芯片产能紧张的状况将进一步扩大,已经影响到了高通公司向三星供货。根据,芯片短缺不仅影响到了中低端芯片,高通向三星 galaxy s21 系列手机供应骁龙 888 soc 的能力也受到了。目前尚未知晓高通产能受影响的程度,但高通仍有信心实现季度的销售目标。
高通说,“将先 soc 芯片的供应,而不是的入门级芯片。”有一家不愿透露名称的手机制造商说,由于高通公司一系列芯片皆供应紧张,因此不得不削减智能手机的产能。
,小米卢伟冰此前也说,目前智能手机的芯片是 度短缺的。高通即将上任的 ceo cristiano amon 说,目前芯片供少于求的状况原因之一的美国对华为的,导致手机厂商(如)不得不选择其它公司的芯片。
除了手机 soc 这种高附加值芯片,目前电阻、电容、二 管等基础元器件也面临着不同程度的涨价,进一步提高了厂商的压力。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  AO4601 AO4613 AO4627 AO4629 AO4922 AO4924 FDS5692Z FDS3512 FDS7766S FDS7766 FDS6994S FDS8882 FDS6892AZ FDS6680S Si2343DS-T1-E3 Si2333CDS-T1-GE3 Si2319CDS-T1-GE3 Si2312CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Si2305CDS-T1-GE3 Si2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-E3 HMC481MP86E MP2130DG-C423-LF-Z MSA-0486-TR1G NTMFS4119NT1G NJM4580CG-TE2 NTMFS4C09NAT1G NTV1215MC IRFH7936TRPBF TLV61220DBVR