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 随着nand flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（p/e cycles）的缩减。slc存储器从3x 制程的100，000次p/e cycles、4个ecc bit到2x 制程降为60，000 p/e、ecc 24bit。mlc从早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程时已降为3，000 p/e、24~40个ecc bit。  有厂商提出，eslc、islc的存储器解决方案，以运用既有的低成本的mlc存储器，在单一细胞电路单元使用slc读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写度提升到30，000次p/e，成本虽比mlc高，但远于slc，可应用在ipc／kiosk／pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。回收iwatte/dialog手机存储芯片回收瑞萨集成电路芯片回收infineon声卡芯片回收INFINEON升压IC 回收arvinMOS管场效应管回收XilinxMOS管回收INFINEON原装整盘IC 回收adi网卡芯片回收PANASONIC车充降压IC 回收安森美逻辑IC 回收CJ长电传感器芯片回收MARVELLMOS管回收semiment汽车主控芯片回收INFINEONSOP封装IC 回收英飞凌触摸传感器芯片回收semtech音频IC 回收瑞昱微控制器芯片回收arvin集成电路芯片回收TOSHIBA进口IC 回收中芯芯片回收凌特收音IC 回收芯成降压恒温芯片回收idesyn降压恒温芯片回收RENESAS封装SOP20芯片