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东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是nvm，其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术，并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ，它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现，它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，性较 nor 闪存要差。

 

掉电不丢失数据，容量大，价格便宜 rom英文名read-only memory，只读存储器，里面数据在正常应用的时候只能读，不能写，存储速度不如ram。 prom：（p指的programmable）可编程rom，根据用户需求，来写入内容，但是只能写一次，就不能再改变了 eprom：prom的升级版，可以多次编程更改，只能使用紫外线擦除 eeprom：升级版，可以多次编程更改，使用电擦除BAT48ZFILM STTH3R02AFY STTH8R06FP STTH112RL BAS70-06FILM STTH2R02UY STTH5L06B-TR STTH30R04G-TR STTH3R02RL STPS5L60 STPS640CB-TR STPS30H60CGY-TR STPS10H100CG-TR STPS0530Z STPS10M60SF STPS1230SF STPS1545FP STPS1545FP L9825TR ULN2002D1013TR SM4T35CAY