25小时在线 158-8973同步7035 可微可电

采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

 

意法半导体 系统的势 stgik50ch65t早已公开，因此团队可以为此做好准备。一旦发布了该器件，就可以直接使用热仿真器（st powerstudio）和开发板（steval-ipm系列）开始工作。尽管一些大客户已经说出浓厚兴趣，但为了使较小规模的团队也可以尽快开始设计，我们将提供板及原理图等资料，帮助更快地将产品推向市场。同时，热仿真器将设计出满足其性能、性和噪声要求的冷却系统。 L78L05ACD13TR STMPS2171STR UC2844BD1013TR L4931ABD50-TR LD59100PUR ST1S09IPUR LM317LD13TR MC34063EBD-TR ST1L05BPUR TSM1052 STM1061N26WX6F UC3842BD1013TR STPS6M100DEE-TR STPS20M100SG-TR STPS5H100BY-TR STPS745G-TR STPS140AY STTH2R02AFY STTH3L06S STTH2L06A STTH5L06 STTH30RQ06W STTH310RL STTH30RQ06G-TR