伯东 KRI RFICP220 技术参数:
型号 |
RFICP220 |
Discharge |
RFICP 射频 |
离子束流 |
>800 mA |
离子动能 |
100-1200 V |
栅极直径 |
20 cm Φ |
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
流量 |
10-40 sccm |
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 |
< 0.5m Torr |
长度 |
30 cm |
直径 |
41 cm |
中和器 |
LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
结果表明:
偏压显著影响直流磁控沉积的 MoN 薄膜的晶相结构、表面形貌、断面结构、硬度和摩擦磨损性能;随脉冲偏压的增大, MoN 薄膜的膜厚、硬度都先增大后减小, 而薄膜的磨损率却先减小后增大, 其中 -500 V 脉冲偏压下沉积的 MoN 薄膜具有硬度为 7731 N/mm~2, 以及低的磨损率为 5.8×10~(-7)mm~3/(N·m). 此外, MoN 薄膜在不同载荷和转速的摩擦条件下表现出不同的摩擦学行为.
KRI 的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 技术的情况下是无法实现的.
因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.
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