上海某大学研究室在离子溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 作为溅射源

KRI 射频 RFICP380 技术参数:

该实验以 99.9% 纯度 Ti 靶和纯度石墨靶为原材料, 通过离子溅射技术在硬质合金表面制备 Ta-C涂层.

研究结果:

石墨靶溅射时间 55min 时制备的 Ta-C涂层综合性能较优, 涂层摩擦系数较低达到 0.13, 对膜副表面形成了石墨转移膜, 对 Ta-C 涂层起到润滑作用.

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