惠州回收MICRON美光闪存内存K9F8G08U0M-PCB0
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25小时在线 158-8973同步7035 可微可电 6:电容的识别(1)、贴片电容有:贴片钽电容、贴片瓷片容、 纸多层贴片电容、贴片电解电容。贴片瓷片电容:体积小,无 性,无丝印。基本单位pf纸多层贴片电容:与贴片瓷片电容基本相同,材质纸质。基本单位 为pf,但此电容容量一般在uf级。
贴片电解电容:丝印印有容量、耐压和 性标示。其基本单位为f。
7:电感元件的识别常见贴片元件尺寸规范介绍
在贴片元件的尺寸上为了让所有厂家生产的元件之间有 的通用性,上各大厂家进行了尺寸要求的规范工作,形成了相应的尺寸系列。其中在不同采用不同的单位基准主要有公制和英制,对应关系如下表:
注:1)此处的0201表0.02x0.01inch,其他相同;
2)在材料中还有其它尺寸规格例如:0202 、0303、0504、1808、1812、2211、2220等等,但是在实际使用中使用范围并不广泛所以不做介绍。
3)对于实际应用中各种对尺寸的称呼有所不同,一般情况下使用英制单位称呼为多,例如一般我们在工作中会说用的是0603的电容,也有时使用公制单位例如说用1608的电容此时使用的就是公制单位 。
5东芝(toshiba)以2009年开发的bics—3d nand flash技术,从2014年季起开始小量试产,目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路,东芝与新帝(sandisk)合资的日本三重县四日市晶圆厂,期工程扩建计划预计2014年q3完工,q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光(micron)、英特尔(intel)阵营,也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ,计划于2014年q2送样测试,快于年底量产。 由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升,要比以往2d平面nand flash需要更长时间,且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时,故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主,对整个移动设备与储存市场上的替代效应,在明年底以前应该还看不到。 C2M0080120D ATA6560-GAQW-N ATMEGA328P-AU ATTINY461A-SUR HS-100B IRFI4019H-117P MCP2551T-I/SN MIC5319-3.0YD5-TR S25FL256SAGMFIG03 CY8CMBR3108-LQXIT CYPD5126-40LQXIT TPA3118D2DAPR TPS65910A3A1RSLR TCA9509DGKR INA197AIDBVR TPS51125RGER TLV9062IDGKR DRV8313RHHR TPS65217CRSLR UCC27282DRCR SC667545VLU6
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