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当今的算法主要是软硬件算法两大路径：使用cpu来驱动算法，虽然部署简便，但由于cpu发展面临瓶颈，时延难以突破，因此缺乏市场竞争力，硬件算法方式需要开发商基于it系统进行设计和架构，虽然因一定程度解决时延问题具备较强的竞争力，但成本高且交付周期长，潜在风险大；而从软件算法转换成硬件方式，门槛则非常高。
如何困扰当今众多厂商面临的这些挑战、帮助客户无需硬件开发就可以达到微秒级的低时延要求？
赛灵思推出的 alveo smartnic sn1000加速卡就是这样一个开箱即用的加速算法解决方案。
2×100gb的alveo sn1000是业界硬件可组合式smartnic，符合数据 封装的尺寸需求，而功耗仅为75瓦。sn1000采用16核nxp arm soc构建，ultrascale+ fpga架构、arm的子系统以及可编程的viits networking等特性，可满足市场不断变化的需求。
由于预行了硬件加速，sn1000 smartnic稍加配置即可对远程存储、nvme或其他流量以及安和防火墙进行加速，实现了开箱即用、即插即用，同时维持相关性能不变。
sn1000 的另一个特性是，可以非常方便地移除预制某些功能，然后基于其统一软件平台vitis新打造的vitis networking，使用类似p4这样的语言对数据面进行编程，也可以使用c和c++的语言对于arm进行控制和流量的管理，满足客户自认为非常重要的应用领域。无论是配置还是加速，均可由赛灵思或客户来实现，亦可由客户的客户或 的软件和ip合作伙伴来实现。这体现了赛灵思所提供的的可编程的灵。

 

随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  L78M05CDT-TR LF33ABDT-TR SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR LSM6DS3TR STLM20DD9F LM317D2T-TR STL8N6F7 ESDA6V1SC6 M24LR04E-RMN6T/2 LF120CDT-TR M24LR04E-RDW6T/2 ST1S32PUR VN7016AJTR STM6510SCACDG6F LM135 MUN5211T1G M24C02-FDW6TP TS3431ILT FDV303 STX616-AP ESDA14V2L ULN2003D1013TR ST25DV04K-IER6T3 LM393PT HSP061-2M6 STM809TWX6F STM809SWX6F STPS140A LD2981ABM50TR LF347DT LMV822IDT STD7NM80 SM6T200A MC33078DT LM335DT LF253DT