惠州回收镁光带板内存芯片MT40A1G8SA-075:E
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电美国英特尔公司和艾亚实验室将teraphy硅基光学输入/输出芯粒集成到现场可编程门阵列中，将光信号传输元件封装至芯片内部，标志着封装内光互连技术取得突破性进展。集成方案是：将teraphy芯粒与现场可编程门阵列“接口数据总线”接口的24个通道相连接，利用“嵌入式多芯片互连桥接”技术将二者封装在一起，构建封装内集成光学元件的多芯片模块。与电互连相比，光互连带宽密度提高1000倍，功耗降低至1/10。该技术有望实现100太比特/秒的数据传输速率，大幅提升封装内芯片间的数据传输能力，满足装备大数据处理需求。
二、darpa三维系统芯片进入产业化阶段
2020年8月，darpa三维系统芯片开始从实验室成果转向产业化。产业化阶段，darpa将在天水公司200毫米晶圆碳基芯片生产线上，应用碳 管晶体管三维系统芯片制造工艺， 改进芯片品质，提升芯片良率，化芯片性能，提高逻辑功能密度。三维系统芯片集逻辑运算、数据存储功能于一身，可实现高带宽数据传输，提高计算性能，降低运行功耗，将大幅加速人工智能算法和计算，对美国巩固势意义重大。
三、美国开发出高灵敏芯片级激光陀螺仪
2020年3月，美国加州理工学院研发出高灵敏度芯片级激光陀螺仪，灵敏度比其他芯片级陀螺仪高数十至上百倍。该陀螺仪碟形布里渊谐振腔由---q值超过1亿的硅基二氧化硅制成，自由光谱谐振值1.808吉赫。测试表明，芯片级激光陀螺仪具有高灵敏、高集成性、高鲁棒性、强抗冲击性等特点，在微型、可穿戴设备及其他---平台上具有广阔应用前景。
四、美国开发出基于忆阻器阵列的三维计算电路
2020年5月，美空军研究实验室与马萨诸塞大---合研发出一种三维计算电路。其由八层忆阻器阵列构成，采用了新的电路架构设计，可直接实现 神经网络功能。八层忆阻器阵列由若干个彼此物理隔离的忆阻器行组构成，每个行组包含八层忆阻器，层与层呈阶梯式交错堆叠搭接，每个忆阻器仅与相邻少量忆阻器共用电 ，减少了相关干扰，大幅 了“潜在通路”效应，有利于实现大规模忆阻器阵列集成。该三维计算电路计算速度和能效大幅提升，为人工神经网络等计算技术，以及神经形态硬件设计提供了新的技术途径。
ddr4较以往不同的是改采vddq的终端电阻设计，v- 目前计划中的传输速率进展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133传输速率快了50 ，将来不排除直达4，266mbps；bank数也大幅增加到16个（x4/x8）或8个（x16/32），这使得采x8设计的单一ddr4存储器模组，容量就可达到16gb容量。 而ddr4运作电压仅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v还低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低，再加上ddr4一次支援 省电技术（deep power down），进入休眠模式时无须更新存储器，或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒，减少35 ~50 的待机功耗。 ADM6823TYRJZ ADM6823SYRJZ AD8665ARJZ ATF-52189 MIC5265-3.0YD5 RT6258BGQUF ADG608BRUZ AD8014ARTZ ADG719BRMZ ADG819BRMZ AD7942BCPZ AD7982BCPZ ADG419BRZ AD8029AKSZ-REEL7 AD8591ARTZ AD8561ARU-REEL AGB3307S24Q1 AD8651ARMZ AD8617ARMZ AD8519AKSZ-REEL7 MAX4490AXK-T ADP2384ACPZN CY7C1248KV18-450BZXC CY7C1264XV18-450BZXC CY7C1423KV18-300BZXC
二、darpa三维系统芯片进入产业化阶段
2020年8月，darpa三维系统芯片开始从实验室成果转向产业化。产业化阶段，darpa将在天水公司200毫米晶圆碳基芯片生产线上，应用碳 管晶体管三维系统芯片制造工艺， 改进芯片品质，提升芯片良率，化芯片性能，提高逻辑功能密度。三维系统芯片集逻辑运算、数据存储功能于一身，可实现高带宽数据传输，提高计算性能，降低运行功耗，将大幅加速人工智能算法和计算，对美国巩固势意义重大。
三、美国开发出高灵敏芯片级激光陀螺仪
2020年3月，美国加州理工学院研发出高灵敏度芯片级激光陀螺仪，灵敏度比其他芯片级陀螺仪高数十至上百倍。该陀螺仪碟形布里渊谐振腔由---q值超过1亿的硅基二氧化硅制成，自由光谱谐振值1.808吉赫。测试表明，芯片级激光陀螺仪具有高灵敏、高集成性、高鲁棒性、强抗冲击性等特点，在微型、可穿戴设备及其他---平台上具有广阔应用前景。
四、美国开发出基于忆阻器阵列的三维计算电路
2020年5月，美空军研究实验室与马萨诸塞大---合研发出一种三维计算电路。其由八层忆阻器阵列构成，采用了新的电路架构设计，可直接实现 神经网络功能。八层忆阻器阵列由若干个彼此物理隔离的忆阻器行组构成，每个行组包含八层忆阻器，层与层呈阶梯式交错堆叠搭接，每个忆阻器仅与相邻少量忆阻器共用电 ，减少了相关干扰，大幅 了“潜在通路”效应，有利于实现大规模忆阻器阵列集成。该三维计算电路计算速度和能效大幅提升，为人工神经网络等计算技术，以及神经形态硬件设计提供了新的技术途径。
ddr4较以往不同的是改采vddq的终端电阻设计，v- 目前计划中的传输速率进展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133传输速率快了50 ，将来不排除直达4，266mbps；bank数也大幅增加到16个（x4/x8）或8个（x16/32），这使得采x8设计的单一ddr4存储器模组，容量就可达到16gb容量。 而ddr4运作电压仅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v还低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低，再加上ddr4一次支援 省电技术（deep power down），进入休眠模式时无须更新存储器，或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒，减少35 ~50 的待机功耗。 ADM6823TYRJZ ADM6823SYRJZ AD8665ARJZ ATF-52189 MIC5265-3.0YD5 RT6258BGQUF ADG608BRUZ AD8014ARTZ ADG719BRMZ ADG819BRMZ AD7942BCPZ AD7982BCPZ ADG419BRZ AD8029AKSZ-REEL7 AD8591ARTZ AD8561ARU-REEL AGB3307S24Q1 AD8651ARMZ AD8617ARMZ AD8519AKSZ-REEL7 MAX4490AXK-T ADP2384ACPZN CY7C1248KV18-450BZXC CY7C1264XV18-450BZXC CY7C1423KV18-300BZXC
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