25小时在线 158-8973同步7035 可微可电相信大家都知道，在芯片产业链共分为idm、foundry、fabless三种模式，其中fabless则指芯片设计厂商，只设计芯片不生产制造芯片产品，如华为、高通、联发科、苹果等，而foundry则指芯片代工厂商，只具备芯片生产制造能力，并不具备芯片设计能力，如台积电、中芯、华虹半导体等等，而实力强的则是idm芯片模式，具备了芯片设计、芯片制造、芯片封测等 能力，从设计到后生产制造部都能够自己搞定，比如intel、三星等，或许也是因为整个芯片产业链技术门槛较高，所以国内芯片厂商 的都只是fabless厂商，而idm芯片厂商则更少。
  而就在段时间，国内手机odm闻泰科技直接并购了安世半导体，安世半导体作为汽车领域的idm芯片，也是功率半导体企业，这也意味着闻泰科技是国内甚至是强的idm芯片，自己可以搞定芯片设计、芯片制造、芯片封测等 能力。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  ADS1246IPWR TS5A4624DCKT TS5A4624DCKR TS5A3157DBVR TS5A3159ADBVT TS5A9411DCKT LMP8645HVMKE/NOPB INA168NA/3K TPS22944DCKR LM2664M6X/NOPB TPS22904YFPT TPS2559DRCR TPS22944DCKR LPC1112FHN33/102 LPC1343FHN33 FSEZ1317MY LMH6643MAX AD7541AKR HEF4013BP ADM213EARSZ LTC7510EUH NCP6336BFCCT1G