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不过一向习惯“求稳”的苹果公司对基带研发其实早已做好大量准备。
对于许多人来说，苹果是一家拥有芯片设计能力的公司，旗下的a系列处理器在性能方面可以说一骑绝尘。
但基带芯片的研发难度往往比ap(应用处理)要大得多。苹果仅凭自己的力量是无法完成基带研发任务的，因此在2019年，苹果收购英特尔智能手机基带业务。
在过去，能够供应基带芯片的厂商多达数十家。
但是进入5g时代后，还在推出5g基带产品的厂商仅剩下5位：高通、华为、三星、联发科、紫光展锐。可想而知5g基带芯片研发的门槛有多高。
而对于苹果来说，想要跳过2g、3g、4g，直接研发5g芯片更是难上加难。
5g基带芯片需要同时兼容2g/3g/4g网络，苹果此前没有通信方面的技术积累，还 回头补课，将花费大量资金，且还还不包括和运营商做测试所花费的时间和经济成本。
不过还好，苹果收购了英特尔基带业务，可以帮助其减少大量成本。
，苹果收购英特尔基带业务共花费10亿美元(约合68亿元)，是苹果公司的收购。
这场的主要成果包括：大约2200名英特尔员工、超过17000件的无线技术组合。

 

随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  VNB35NV04-E VND14NV04TR-E STD15P6F6AG STF11N65M2 STB36NM60N STB33N60DM2 STDS75DS2F STP7N65M2 STP12N60M2 STP220N6F7 STP23NM50N STP7N60M2 STU12N60M2 STW13N60M2 STW20N65M5 STW35N60DM2 STW36NM60ND STW56N60DM2 STW72N60DM2AG STY105NM50N TN1215-600H STB18N65M5 STB24NM60N STB28NM50N