AO3400A-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400A
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AO3400A-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400A
型号：AO3400A
品牌：ASEMI
封装：SOT-23
批号：最新
漏源电流：5.8A
漏源击穿电压：30V
RDS（ON）Max：30mΩ
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的AO3400A MOS管
ASEMI品牌AO3400A是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了AO3400A的漏源电流5.8A，漏源击穿电压30V.
•细节体现差距
AO3400A,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
AO3400A具体参数为：漏源电流：5.8A，漏源击穿电压：30V，反向恢复时间： ns，封装：SOT-23
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