今年展出的产品范围跨越六大领域，包括：工业应用、变频家电应用、可再生能源应用、铁路牵引和电力应用、电动汽车应用以及碳化硅器件应用。

　　在新产品方面，这次展出的全新第7代IGBT模块，适合应用在工业驱动和太阳能发电上。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片；具有650V、1200V和1700V三种电压等级；提高利用门极电阻优化dv/dt的可控性；涵盖模块电流75A至2500A；继承传统的三种封装，适应不同的结构设计需求；采用预涂热界面材料，降低模块与散热器的接触热阻。

　　在xx变频器和伺服驱动器应用方面，三菱电机这次推出的G系列IPM(智能功率模块)，采用第7代CSTBTTM硅片，进一步降低损耗；采用更适合伺服驱动应用的窄长形封装；兼容控制管脚和现有L1系列相同。

　　对于铁路牵引和直流输电应用，新推出了X系列HVIGBT。其采用了{zx1}一代HVIGBT，进一步提升3.3kV/4.5kV/6.5kV的电流等级；应用第7代IGBT和RFCDiode硅片技术，实现更低饱和压降和开关损耗；采用针对电力传输应用的6500V/1000A单管HVIGBT。

　　在电动汽车应用上，{zx1}的J1系列EVT-PM模块，采用Pin-fin底板的六合一汽车用IGBT模块；应用低损耗的第7代IGBT硅片技术；与传统结构相比，热阻降低40%，安装面积减小40%；适合体积紧凑的电动车。

　　另外，针对太阳能发电，三菱电机还展出三电平逆变器用IGBT模块，它的特色是低损耗、低电感、高绝缘和易并联，能xx满足正在发展的太阳能发电市场的需要。

　　在碳化硅器件应用方面，三菱电机今年将继续展出四款产品，包括用于变频空调的混合碳化硅DIPIPMTM、用于伺服驱动器的混合碳化硅IPM、用于新能源发电的全碳化硅MOSFET模块、以及用于铁路牵引的混合碳化硅HVIGBT。

　　与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特性。采用碳化硅功率器件开发电力电子变流器，能提高功率密度，缩小装置体积；提升变流器效率；提高开关频率，缩小滤波器体积；确保高温环境下运行的可靠性；还易于实现高电压大功率的设计。碳化硅功率器件可广泛用于节能、高频和高温三大电力电子系统。

　　为了方便客户采用新型功率模块开发变流器产品，三菱电机还将展示多种一体化应用解决方案，包括基于新MPD的风电用MPDStacK；基于新MPD的500kW光伏逆变器功率组件；基于工业用小型DIPIPMTM的伺服驱动器解决方案；基于第6代DIPIPMTM的通用变频器解决方案；基于第6代DIPIPMTM的变频空调压缩机驱动解决方案；基于MOSDIPIPMTM的变频冰箱压缩机驱动解决方案；及J1系列EVT-PM测试套件。

　　作为全球xx掌握功率半导体硅片技术和封装技术的公司，三菱电机将积{jz}力于基于新材料的开发和应用，努力为电力电子业界奉献高性能和高可靠性的功率半导体模块。