25N120-ASEMI高压MOS管25N120
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25N120-ASEMI高压MOS管25N120
型号：25N120
品牌：ASEMI
封装：TO-247
漏源电流：25A
漏源击穿电压：1200V
RDS（ON）Max：0.12Ω
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的25N120 MOS管
ASEMI品牌25N120是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了25N120的漏源电流25A，漏源击穿电压1200V.
•细节体现差距
25N120,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
25N120具体参数为：漏源电流：25A，漏源击穿电压：1200V，反向恢复时间： ns，封装：TO-247
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